Sự khác biệt giữa PVD và CVD

PVD vs CVD

PVD (Lắng đọng hơi vật lý) và CVD (Lắng đọng hơi hóa học) là hai kỹ thuật được sử dụng để tạo ra một lớp vật liệu rất mỏng thành chất nền; thường được gọi là màng mỏng. Chúng được sử dụng chủ yếu trong sản xuất chất bán dẫn trong đó các lớp vật liệu loại n và loại p rất mỏng tạo ra các mối nối cần thiết. Sự khác biệt chính giữa PVD và CVD là các quy trình họ sử dụng. Như bạn có thể đã suy ra từ các tên, PVD chỉ sử dụng các lực vật lý để ký gửi lớp trong khi CVD sử dụng các quy trình hóa học.

Trong PVD, một vật liệu nguồn tinh khiết được khí hóa thông qua sự bay hơi, ứng dụng điện năng cao, cắt đốt bằng laser và một vài kỹ thuật khác. Các vật liệu khí hóa sau đó sẽ ngưng tụ trên vật liệu nền để tạo ra lớp mong muốn. Không có phản ứng hóa học diễn ra trong toàn bộ quá trình.

Trong CVD, vật liệu nguồn thực sự không thuần túy vì nó được trộn lẫn với một tiền chất dễ bay hơi hoạt động như một chất mang. Hỗn hợp được bơm vào buồng chứa chất nền và sau đó được lắng đọng vào đó. Khi hỗn hợp đã được kết dính với chất nền, tiền chất cuối cùng sẽ phân hủy và để lại lớp mong muốn của vật liệu nguồn trong chất nền. Sản phẩm phụ sau đó được lấy ra khỏi buồng thông qua dòng khí. Quá trình phân hủy có thể được hỗ trợ hoặc tăng tốc thông qua việc sử dụng nhiệt, plasma hoặc các quá trình khác.

Cho dù đó là thông qua CVD hoặc qua PVD, kết quả cuối cùng về cơ bản là giống nhau vì cả hai đều tạo ra một lớp vật liệu rất mỏng tùy thuộc vào độ dày mong muốn. CVD và PVD là các kỹ thuật rất rộng với một số kỹ thuật cụ thể hơn theo chúng. Các quy trình thực tế có thể khác nhau nhưng mục tiêu là như nhau. Một số kỹ thuật có thể tốt hơn trong các ứng dụng nhất định so với các ứng dụng khác vì chi phí, dễ dàng và nhiều lý do khác; do đó chúng được ưa thích trong khu vực đó.

Tóm lược:

1. PVD chỉ sử dụng các quy trình vật lý trong khi CVD chủ yếu sử dụng các quy trình hóa học
2. PVD thường sử dụng vật liệu nguồn thuần trong khi CVD sử dụng vật liệu nguồn hỗn hợp