Sự khác biệt giữa IGBT và Thyristor

IGBT vs Thyristor

Thyristor và IGBT (Transitor cổng lưỡng cực cách điện) là hai loại thiết bị bán dẫn có ba cực và cả hai đều được sử dụng để điều khiển dòng điện. Cả hai thiết bị đều có một thiết bị đầu cuối điều khiển được gọi là 'cổng', nhưng có các nguyên tắc hoạt động khác nhau.

Bác sĩ

Thyristor được tạo thành từ bốn lớp bán dẫn xen kẽ (dưới dạng P-N-P-N), do đó, bao gồm ba nút giao PN. Trong phân tích, đây được coi là một cặp bóng bán dẫn được ghép chặt chẽ (một PNP và một loại khác trong cấu hình NPN). Các lớp bán dẫn loại P và N ngoài cùng được gọi là cực dương và cực âm tương ứng. Điện cực được kết nối với lớp bán dẫn loại P bên trong được gọi là 'cổng'.

Trong hoạt động, thyristor hoạt động tiến hành khi một xung được cung cấp cho cổng. Nó có ba chế độ hoạt động được gọi là mode chế độ chặn ngược ', mode chế độ chặn tiến' và mode chế độ tiến về phía trước '. Khi cổng được kích hoạt bằng xung, thyristor sẽ chuyển sang 'chế độ dẫn tiến' và tiếp tục tiến hành cho đến khi dòng điện phía trước trở nên nhỏ hơn ngưỡng 'giữ dòng điện'.

Thyristor là thiết bị điện và hầu hết thời gian chúng được sử dụng trong các ứng dụng có dòng điện và điện áp cao. Ứng dụng thyristor được sử dụng nhiều nhất là kiểm soát dòng điện xoay chiều.

Transitor cổng lưỡng cực cách điện (IGBT)

IGBT là một thiết bị bán dẫn có ba thiết bị đầu cuối được gọi là 'Emitter', 'Collector' và 'Gate'. Nó là một loại bóng bán dẫn, có thể xử lý một lượng điện năng cao hơn và có tốc độ chuyển đổi cao hơn làm cho nó có hiệu quả cao. IGBT đã được giới thiệu ra thị trường vào những năm 1980.

IGBT có các tính năng kết hợp của cả MOSFET và bóng bán dẫn tiếp giáp lưỡng cực (BJT). Nó được điều khiển cổng giống như MOSFET và có các đặc tính điện áp hiện tại giống như các BJT. Do đó, nó có những ưu điểm của cả khả năng xử lý hiện tại cao và dễ kiểm soát. Các mô-đun IGBT (bao gồm một số thiết bị) xử lý hàng kilowatt điện.